用于工业应用的小信号MOSFET
综述
-60 V 至 -150 V 小信号 P 沟道 MOSFET 和 60 V 至 600 V 小信号 N 沟道 MOSFET
该系列器件面向工业应用，具有很高的稳健性，击穿电压 (VBRDSS ) 低至 -150 V（取决于产品）。所有器件都通过了 JEDEC 认证，简化了设计人员的审批流程，使设计能够更快地推向市场。
产品组合、主要功能、优势和应用
小信号 N 沟道 OptiMOS™ 器件采用 SOT-23 和 SOT-223 封装。该系列器件的电压范围为 60 V、100 V、250 V 和 600 V，R(DS)on 值低至 3000 mΩ (@VGS = 10 V)
该系列包括 OptiMOS™ 60 V、100 V 和 150 V P 沟道器件，采用 SOT-23 和 SOT-223 封装，R(DS)on 值低至 65 mΩ （@VGS = 10 V）
这些设备在现代技术应用中尤为重要，包括电池管理、负载开关和反极性保护。
| 特点 |
优势 |
| 小体积 |
节省空间的紧凑型设计 |
| 增强模式和耗尽模式选项 |
灵活的设计 |
| 高开关速度 |
提高系统效率 |
| 通过 JEDEC 认证 |
简化审批，快速上市 |
产品
支持
